型号：SPB02N60C3
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
系列：CoolMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：650V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 1.1A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：3.9V @ 80µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：12.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
功率_最大：25W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
包装：带卷 (TR)
厂 商：SSDI [ Solid States Devices, Inc ]
描 述：10 AMP 20 VOLTS BYPASS DIODE ASSEMBLY
大 小：50K
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