型号:SIZ700DT-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:6-PowerPair?
描述:MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 10V
功率_最大:2.36W,2.8W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-PowerPair?
供应商设备封装:6-PowerPair?
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
大 小:275K