型号：SIR800DP-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 毫欧 @ 15A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：133nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：5125pF @ 10V
功率_最大：69W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
包装：带卷 (TR)
厂 商：EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述：Chip Infrared LED With Right Angle Lens
大 小：213K
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