型号：SIR662DP-T1-GE3
类别：FET - 单
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? SO-8
描述：MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 毫欧 @ 20A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4390pF @ 30V
功率_最大：104W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
包装：剪切带 (CT)
厂 商：EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述：Chip Infrared LED With Right Angle Lens
大 小：213K
