型号:SIB911DK-T1-GE3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SC-75-6L 双
描述:MOSFET DL P-CH 20V PPAK SC75-6
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:295 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 8V
输入电容333Ciss4440a0Vds:115pF @ 10V
功率_最大:3.1W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? SC-75-6L 双
供应商设备封装:PowerPAK? SC-75-6L 双
包装:剪切带 (CT)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET
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