型号：SI7900AEDN-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：PowerPAK? 1212-8
描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 1212-8
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 8.5A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：900mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
大 小：595K
