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详细参数
型号:SI7703EDN-T1-E3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:二极管(隔离式)
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:48 毫欧 @ 6.3A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 800µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
大 小:523K
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TI MAX AD IR ON ATMEL ALTERA ST 一线进口IC品牌,单片机 内存 二三极管 电容电阻 等等这类的电子元器件!
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