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详细参数

型号：SI7601DN-T1-E3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：PowerPAK? 1212-8

描述：MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：16A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：19.2 毫欧 @ 11A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.6V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 10V

功率_最大：52W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：PowerPAK? 1212-8

供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8

包装：带卷 (TR)

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厂商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

大小：595K

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