型号：SI6913DQ-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 P 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 5.8A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：900mV @ 400µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：830mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装：8-TSSOP
包装：剪切带 (CT)
厂 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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