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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:SI6463BDQ-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫欧 @ 7.4A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:800mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.05W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:带卷 (TR)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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