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详细参数

型号：SI5902BDC-T1-E3

类别：FET - 阵列

制造商：Vishay Siliconix

封装：8-SMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 30V CHIPFET 1206-8

系列：TrenchFET®

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.1A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：220pF @ 15V

功率_最大：3.12W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SMD，扁平引线

供应商设备封装：1206-8 ChipFET?

包装：带卷 (TR)

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厂商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

大小：99K

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