型号:SI5402DC-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SMD,扁平引线
描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 4.9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)
厂 商:ETC [ ETC ]
描 述:OC-12/3, STM-4/1 SONET/SDH CLOCK AND DATA RECOVERY IC
大 小:294K