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详细参数

型号：SI4900DY-T1-E3

类别：FET - 阵列

制造商：Vishay Siliconix

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

FET型：2 个 N 沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：60V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：5.3A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 4.3A，10V

Id时的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V

功率_最大：2W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

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厂商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

大小：282K

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