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详细参数
型号:SI4900DY-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Asymetrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:68K
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