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详细参数

型号：SI4500BDY-T1-E3

类别：FET - 阵列

制造商：Vishay Siliconix

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC

系列：TrenchFET®

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：20V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.3W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SOIC N

包装：剪切带 (CT)

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厂商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]

描述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

大小：282K

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深圳诚思涵科技有限公司

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