型号：SI3900DV-T1-E3
类别：FET - 阵列
制造商：Vishay Siliconix
封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
描述：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
系列：TrenchFET®
FET型：2 个 N 沟道（双）
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：830mW
安装类型：表面贴装
封装__外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装：6-TSOP
包装：Digi-Reel®
厂 商：ETC [ ETC ]
描 述：VOICEBAND CODEC WITH MICROPHONE/SPEAKER DRIVE
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