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详细参数

型号：SI2300DS-T1-GE3

类别：FET - 单

制造商：Vishay Siliconix

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 30V SOT-23

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A

开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：68 毫欧 @ 2.9A，4.5V

Id时的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V

功率_最大：1.7W

安装类型：表面贴装

封装__外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）

包装：带卷 (TR)

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厂商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

大小：43K

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