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详细参数
型号:SI1900DL-T1-E3
类别:FET - 阵列
制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
系列:TrenchFET®
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:590mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫欧 @ 590mA,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:270mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SC-70-6
包装:带卷 (TR)
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厂 商:SILABS [ Silicon Laboratories ]
描 述:Ultra Low Power, 64/32 kB, 10-Bit ADC MCU with Integrated 240-960 MHz EZRadioPRO Transceiver
大 小:2488K
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