型号:QS6M3TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
描述:MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
系列:-
FET型:N 和 P 沟道
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V,20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装:TSMT6
包装:剪切带 (CT)