型号:QS6J11TR
类别:FET - 阵列
制造商:Rohm Semiconductor
封装:SC-95-6
描述:MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
系列:-
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:12V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:105 毫欧 @ 2A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:770pF @ 6V
功率_最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SC-95-6
供应商设备封装:TSMT6
包装:剪切带 (CT)
厂 商:ROHM [ Rohm ]
描 述:Small switching (−20V, −1.5A)
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