型号:PMWD15UN,518
类别:FET - 阵列
制造商:NXP Semiconductors
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
系列:TrenchMOS™
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 5A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:700mV @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:22.2nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 16V
功率_最大:4.2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述:Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET
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