型号:PMDPB30XN,115
类别:FET - 阵列
制造商:NXP Semiconductors
封装:*
描述:MSOFET N-CH DUAL 20V HUSON6
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:900mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:21.7nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 10V
功率_最大:490mW
安装类型:*
封装__外壳:*
供应商设备封装:*
包装:*
厂 商:CENTRAL [ Central Semiconductor Corp ]
描 述:SILICON POWER DARLING TRANSISTORSl
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