型号：PH3120L,115
类别：FET - 单
制造商：NXP Semiconductors
封装：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
描述：MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：标准
漏极至源极电压333Vdss444：20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.65 毫欧 @ 25A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：48.5nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4457pF @ 10V
功率_最大：62.5W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装：LFPAK，Power-SO8
包装：带卷 (TR)
厂 商：MACOM [ Tyco Electronics ]
描 述：Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
大 小：150K
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