型号:HSG1002VE-TL-E
类别:RF 晶体管 (BJT)
制造商:Renesas Electronics America
封装:4-SMD,鸥翼型
描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列:-
晶体管类型:NPN
电压_集电极发射极击穿111最大222:3.5V
频率_转换:38GHz
噪声系数111dB典型值0a0频率222:0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益:8dB ~ 19.5dB
功率_最大:200mW
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 5mA,2V
电流_集电极333Ic444111最大222:35mA
安装类型:表面贴装
封装__外壳:4-SMD,鸥翼型
供应商设备封装:4-MFPAK
包装:带卷 (TR)
厂 商:RENESAS [ RENESAS ]
描 述:SiGeHBT High Frequency Low Noise Amplifier
大 小:473K