型号:HAT2038R-EL-E
类别:FET - 阵列
制造商:Renesas Electronics America
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 60V 5A 8SOP
系列:-
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
输入电容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 10V
功率_最大:2W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP
包装:带卷 (TR)
厂 商:HITACHI [ Hitachi Semiconductor ]
描 述:Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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