型号:DMG4406LSS-13
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26.7nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1281pF @ 15V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SO
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:150K