型号:DMG1012T-7
类别:FET - 单
制造商:Diodes Inc
封装:SOT-523
描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:630mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:400 毫欧 @ 600mA,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:0.74nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:60.67pF @ 16V
功率_最大:280mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:SOT-523
供应商设备封装:SOT-523
包装:剪切带 (CT)
厂 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 小:150K