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型号:  厂家:  批号:  封装:  精确搜索 
详细参数
型号:BSZ520N15NS3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 150V 21A 8-TDSON
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:21A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 35µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:890pF @ 75V
功率_最大:57W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包装:剪切带 (CT)
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厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1460K
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BSZ520N15NS3
Infineon(英飞凌)
22+
16977
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BSZ520N15NS3
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32560
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Infineon(英飞凌)
3000
3000
全新原装正品/质量有保证
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BSZ520N15NS3
Infineon(英飞凌)
2021/2022+
7000
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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INFINEON
2023+
700000
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
查询更多BSZ520N15NS3供应信息         发布时间:2025/4/25 17:36:00

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