型号:BSS806N H6327
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:57 毫欧 @ 2.3A,2.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:750mV @ 11µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 2.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:529pF @ 10V
功率_最大:500mW
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:PG-SOT23-3
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
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