型号：BSP300 E6327
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：TO-261-4，TO-261AA
描述：MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
系列：SIPMOS®
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：800V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 欧姆 @ 190mA，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：-
输入电容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 25V
功率_最大：1.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：PG-SOT223-4
包装：带卷 (TR)
厂 商：PHILIPS [ PHILIPS SEMICONDUCTORS ]
描 述：N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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