型号:BSC440N10NS3 G
类别:FET - 单
制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN
描述:MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
系列:OptiMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:3.5V @ 12µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.8nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 50V
功率_最大:29W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装:带卷 (TR)
厂 商:INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述:n-Channel Power MOSFET
大 小:1574K