型号：BSC320N20NS3 G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：8-PowerTDFN
描述：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：36A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：32 毫欧 @ 36A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：4V @ 90µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：2350pF @ 100V
功率_最大：125W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：8-PowerTDFN
供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包装：带卷 (TR)
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
大 小：1574K
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