型号：BSB012N03LX3 G
类别：FET - 单
制造商：Infineon Technologies
封装：3-WDSON
描述：MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
系列：OptiMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：39A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 毫欧 @ 30A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.2V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：169nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：16900pF @ 15V
功率_最大：2.8W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：3-WDSON
供应商设备封装：MG-WDSON-2，CanPAK M?
包装：剪切带 (CT)
厂 商：INFINEON [ Infineon Technologies AG ]
描 述：n-Channel Power MOSFET
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