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详细参数
型号:BD809G
类别:晶体管(BJT) - 单路
制造商:ON Semiconductor
封装:TO-220-3
描述:TRANS NPN 80V 10A BIPO TO-220AB
系列:-
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444111最大222:10A
电压_集电极发射极击穿111最大222:80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:1.1V @ 300mA,3A
电流_集电极截止111最大222:-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:15 @ 4A,2V
功率_最大:90W
频率_转换:1.5MHz
安装类型:通孔
封装__外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件
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厂 商:INTERSIL [ INTERSIL CORPORATION ]
描 述:EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS
大 小:141K
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查询更多BD80FC0WFP-E2供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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