MM8006
NPN硅高频三极管
描述：
该
ASI MM8006
是专为
高频低噪声放大器
和振荡器的应用。
封装形式TO- 72
最大额定值
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
15 V
600毫瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
4 = CASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
CBO
BV
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
C
ib
N
F
G
pe
P
OUT
η
T
C
= 25 °C
无
测试条件
I
C
= 3.0毫安
I
C
= 1.0
A
V
CB
= 15 V
V
CB
= 15 V
I
E
= 10
A
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V
V
CB
= 0 V
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 12 V
V
CB
= 15 V
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 6.0毫安
I
C
= 8.0毫安
I
C
= 1.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
C
= 4.0毫安
F = 100 MHz的
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 60MHz的
F = 200 MHz的
F = 500 MHz的
T
A
= 150 °C
最小典型最大
10
15
0.01
1.0
3.0
25
0.4
1.0
1000
3.0
1.7
2.0
6.0
15
30
25
单位
V
V
A
V
---
V
V
兆赫
pF
pF
dB
dB
mW
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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MM8006
NPN硅高频三极管
描述：
该
ASI MM8006
是专为
高频低噪声放大器
和振荡器的应用。
封装形式TO- 72
最大额定值
I
C
V
CBO
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
15 V
600毫瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
4 = CASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
CBO
BV
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
C
ib
N
F
G
pe
P
OUT
η
T
C
= 25 °C
无
测试条件
I
C
= 3.0毫安
I
C
= 1.0
A
V
CB
= 15 V
V
CB
= 15 V
I
E
= 10
A
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V
V
CB
= 0 V
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 12 V
V
CB
= 15 V
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 6.0毫安
I
C
= 8.0毫安
I
C
= 1.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
C
= 4.0毫安
F = 100 MHz的
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 60MHz的
F = 200 MHz的
F = 500 MHz的
T
A
= 150 °C
最小典型最大
10
15
0.01
1.0
3.0
25
0.4
1.0
1000
3.0
1.7
2.0
6.0
15
30
25
单位
V
V
A
V
---
V
V
兆赫
pF
pF
dB
dB
mW
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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