- 将整流桥与逆变桥母线铜排断开2017/10/19 22:16:04 2017/10/19 22:16:04
- 将整流桥与逆变桥母线铜排断开,RC4558M将逆变部分控制电路板拔出:若是3kW电炉小电流负载的阻值约⒛0Ω(阻值根据设各容量适当选取):调节冷却水压力,检查水压继电器动作是否正常,检查每根水管...[全文]
- 氮氧化硅栅极氧化介电层的未来发展方向和挑战2017/10/18 20:49:12 2017/10/18 20:49:12
- 跟二氧化硅比,氮掺杂的⒏ON栅极氧化层或氧化硅氮化硅叠加的栅极氧化层,其漏电NCP1034DR2G流得到了大大的改善(可降低一个数量级以上),并且可以同时保持沟道里的载流子迁移率不变。时至今日,...[全文]
- 为了降低RC延迟,电介质的乃值必须随着技术节点不断降低2017/10/17 21:51:37 2017/10/17 21:51:37
- 在后端的互连方面,主要的挑战来自RC延迟。为了降低RC延迟,电介质的乃值必须随着技术节点不断降低。TAS5112ADCA从180/130nm采用掺氟的氧化硅(FSG)到90/65/奶nm采用致密...[全文]
- 垂直沟道型三维电荷俘获存储器是最早实现大规模量产的闪存产品2017/10/17 21:35:48 2017/10/17 21:35:48
- 对于这些不同架构的存储器来说,按照存储层的材料可以分为三维浮栅存储器和=维电荷俘获存储器。TA7291FG前者主要由美同美光公司推介,在2015年底完成了技术上的准备,由于采用多晶硅浮栅作为存储...[全文]
- 布线的方式有自动布线和交互式布线2017/10/16 21:08:31 2017/10/16 21:08:31
- PCB布线有单面布线、双面布线和多层布线。布线的方式有自动布线和交互式布线。S25FL016A0LMFI001在自动布线之前,可以用交互式预先对要求比较格的线进行布线。输人端与输出...[全文]
- 在PCB上,并不是所有元器件在上拉/下拉电流上都相同2017/10/16 21:05:39 2017/10/16 21:05:39
- 在PCB上,并不是所有元器件在上拉/下拉电流上都相同。PCB上有许多元器件,S25FL008A0LMFI001工作时就会产生不对称的功耗,这种不对称的情况会产生电源和地平面的电流不平衡。板级抑制...[全文]
- 将单面或两面电路板设计改为四层电路板设计2017/10/16 20:52:50 2017/10/16 20:52:50
- 多层PCB非常适合高集成度、高密度RCLAMP0504FATCT和高速电路的PCB设计使用。对高集成度和高密度布板,由于器件引脚极多且走线密度极高,为使得所有的信号线、电源、地能得到有效的连通,...[全文]
- 从数字电路的电源层骚扰进人模拟器件的电源引脚2017/10/16 20:50:19 2017/10/16 20:50:19
- 静态区域是物理上独立于数字电路、电源与RCLAMP0503N.TCT接地层的部分。这种隔离避免了PCB上其他区域的骚扰源干扰其他敏感电路。例如,从数字电路的电源层骚扰进人模拟器件的电源引脚,或音...[全文]
- 在微电子工艺中常用的介质薄膜还有氮化硅薄膜2017/10/15 18:11:14 2017/10/15 18:11:14
- 在微电子工艺中常用的介质薄膜还有氮化硅薄膜,特别是在一些不适合使用工氧化硅薄膜的场合,PIC12LF1552氮化硅薄膜被广泛使用。氮化硅薄膜通常是采用CVD工艺制备。氮化硅薄膜性质...[全文]
- 热丝化学气相淀积2017/10/15 18:00:02 2017/10/15 18:00:02
- 热丝化学气相淀积(HotⅦreCVD,F叩为0)是一种新近发展起来的CV「l薄膜制备方法。它采PIC12F752用高温热丝分解前驱气体,通过调节前驱气体组分配比和热丝温度而获得大面积的高质量淀积...[全文]
- 原子或离子的温度又远低于电子2017/10/15 17:50:37 2017/10/15 17:50:37
- 电子的平均运动速率约为9,5×105m/s。而如果辉光放电气体是惰性气体氩,氩的原PIC12F629子质量远大于电子,原子或离子的温度又远低于电子,其平均运动速率约为5×1o2m/s。电子与原子...[全文]
- APCX/D工艺温度一般控制在气相质量输运限制区2017/10/15 17:36:19 2017/10/15 17:36:19
- 尽管设备是冷壁式系统,但在常压下反应剂浓度较高,硅烷和氧气的反应仍可能在气相发生,形PIC12F510成硅的氧化物颗粒,这将造成淀积薄膜质量下降,如表面形态差、密度低等一系列问题。通过降低反应剂...[全文]
- CMOs晶体管和金属互连的制造流程2017/10/14 10:58:01 2017/10/14 10:58:01
- 现代CM()s逻辑△艺流程的顺序如图3.3所示,工艺参数对应于90nm节点。CMOS逻辑超大规模集成电路的制造通常是在P型硅或绝缘体上硅(SOI)上,直径为⒛0mm(8″)或300mm(12″)...[全文]
- 将统一的地分为模拟部分和数字部分2017/10/13 21:45:42 2017/10/13 21:45:42
- 较好的办法是开始时就用统一地。将统一的地分为模拟部分和数字部分。这样NCP4894FCT1G的布局布线既满足了￡器件厂商对模拟地和数字地引脚低阻抗连接的要求,同时又不会形成环路天线或偶极天线而产...[全文]
- 所需连接的电缆负载(或装置)的数量、型号和长度2017/10/10 20:44:44 2017/10/10 20:44:44
- EUT的配置主要由以下因素确定。REF1004-2.5(1)所需连接的电缆负载(或装置)的数量、型号和长度。(2)所需安装的模块(如各类插卡,底板)的数量和类型。...[全文]
- 针对大功率LED灯具2017/10/9 21:34:49 2017/10/9 21:34:49
- 针对大功率LED灯具,目前能得到散热结构中温度分布的数据而进行散热性能分析的方法主要有:N25Q032A13ESEC0F等效热路计算法、实验测量法和软件数值模拟法,≡者构成了散热设计与分析研究的...[全文]
- 圆盘铁磁磁极2017/10/4 23:34:30 2017/10/4 23:34:30
- 对话框中选项ECHU1H103JX5说明如下。・Matehallabel标识此几何实体的材料名称。材料的具体属性函数在后面设定。・Pote...[全文]
- 工程电磁场计算及多场耦合分析2017/10/4 23:29:02 2017/10/4 23:29:02
- 件读入0pera3D后,形成的模型的几何尺度的E13007-2数值量级就是上千的情况。由于Modeller默认显示在主窗口中的3坐标轴数值均在10左右,导入几何模型尺寸为上千时会导致主窗口模型的...[全文]
- 解算数据生成2017/10/3 17:22:40 2017/10/3 17:22:40
- 单击PrcparcandSolve按钮之后(如果弹出一个询问是A8932CLW否改写Overwrite的对话框,单击OK按钮即可),Opera3D会弹出一个解算报告窗口。窗口内动态显示解算时间、...[全文]
- 编制电子产品减套技术文件2017/9/27 21:15:18 2017/9/27 21:15:18
- 技术文件是电子整机产品研究、设计、试制与生产实践经验积累所形成的一种技术资料,也是产品生产、使用和维修的基本依据。S1D13503F01A2在电子产品规模生产的制造业中,产品技术文件具有生产法规...[全文]
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