- 网格套刻2017/10/28 10:19:38 2017/10/28 10:19:38
- 在当今半导体工业稳步踏人小于45nm的技术节点,对套刻精度的要求越来越高,已经R02101开始进人个位数领域,即小于10nm,平均值+3倍标准偏差(M∞n+3⒏gma)。已经不能满足线性补偿的能...[全文]
- 驻波(standing wave)2017/10/26 21:30:49 2017/10/26 21:30:49
- 驻波(standingwave):通过增加抗反射层、适当提高光敏感剂(如通过提高后烘的温度或者时间来增加光酸的扩散)的扩散可以有效地解决驻波效应。SC10334CBV400厚度损失(thckne...[全文]
- 优化抗反射层的厚度和折射率2017/10/26 21:22:53 2017/10/26 21:22:53
- 优化光刻胶的厚度、波动线SBG3045CT(s诫ngcurvc)。尽管有了底部抗反射层,还是会有一定量的剩余光从光刻胶底部反射上来。这部分光会同光刻胶顶部的反射光发生干涉,如图7.35(a)和图...[全文]
- 由于涂胶或者衬底造成的问题一般局限于硅片内2017/10/26 21:13:00 2017/10/26 21:13:00
- 由于涂胶或者衬底造成的问题一般局限于硅片内。CMOS器件对线宽均匀性的要求一般为线宽的±10%左右。对于栅极,一般控制精度为±7%,这是由于在0,18um节点以下的工艺中,一般在光...[全文]
- 曝光能量宽裕度指的是在线宽允许变化范围内2017/10/25 21:02:59 2017/10/25 21:02:59
- 曝光能量宽裕度指的是在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。如线宽P16C2510-133L为90nm的线条,线宽随能量的变化为3nm/mJ,而线宽的允许变化范围是±9nm,那么允许的曝光...[全文]
- 现在世界上主要光刻机制造商为荷兰的阿斯麦2017/10/24 20:41:21 2017/10/24 20:41:21
- 现在世界上主要光刻机制造商为荷兰的阿斯麦(ASML)、日本的尼康(Nikon)、佳能XC1765ELPD8C(Canon)以及其他的非全尺寸的光刻机厂商,如Ultrastepper等。国产先进扫...[全文]
- 全硅片1:1曝光方式结构简单2017/10/24 20:39:15 2017/10/24 20:39:15
- 全硅片1:1曝光方式结构简单,而且对光的单色性要求也不高。但是,随着芯片的尺寸和硅片尺寸变得越来越大,XC1765ELPC20C而线宽越来越精细,光学系统在不影响成像质量的情况下无法将图形一次性...[全文]
- 化学电镀的铜线已经成为金属互连的主要材料2017/10/24 20:20:10 2017/10/24 20:20:10
- (1)随着晶体管尺寸的不断缩小,化学电镀的铜线已经成为金属互连的主要材料。在XC1765DPC铜金属互连中,需要物理气相沉积TaN/Ta和Cu分别作为阻挡层和种子层。...[全文]
- 铜膜退火前后的晶粒大小2017/10/24 20:17:05 2017/10/24 20:17:05
- 退火工艺虽然简单,XC17512LSO20I但作用非常重要,将直接影响到最终所镀铜膜的物理机械性能、缺陷状况、电学性能以及产品的可靠性。下面将对与退火过程相关的一些主要问题进行阐述。...[全文]
- 洗边和退火2017/10/24 20:13:39 2017/10/24 20:13:39
- 物理气相沉积的铜种子层在生长的过程中,铜会长到硅片的边缘,甚至会长到硅片的背面,XC17512LSC对后续工艺机台产生金属污染。另外,物理气相沉积的阻挡层和种子层在硅片边缘的均匀性都不太好,铜会...[全文]
- 入水方式(entry)2017/10/24 20:08:01 2017/10/24 20:08:01
- 从上面的介绍可以看出,人水方XC17512LPD8C式在整个电镀过程中非常重要。最初的人水方式采用的是冷入水(coldcntry),等硅片完全进人镀液后再通电,但随着线宽的不断缩小,铜种子层的厚...[全文]
- 为了保证Ti/TiN起到黏合和阻挡作用2017/10/23 20:38:53 2017/10/23 20:38:53
- 为了保证Ti/TiN起到黏合和阻挡作用,需要一定的厚度,特别是在侧壁(sidewa11)。OPA2134UA/2K5但是gluelayer太厚,会有两个问题。一是gluelayer远比W高,在有...[全文]
- 金属栅极的沉积方法2017/10/22 11:31:30 2017/10/22 11:31:30
- 金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数,两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外,先栅极的I艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求,TC74HC4066AF但是...[全文]
- 金属栅极的使用2017/10/22 11:17:59 2017/10/22 11:17:59
- 随着铪基高乃材料的引人,人们发TC74HC174AF现高乃介质与多晶硅栅极的兼容性一直是影响高虑材料使用的一个障碍。因为栅极的一个关键特性是它的功函数,即自由载流子逃逸所需要的能量...[全文]
- 在源/漏区选择性外延生长锗化硅。2017/10/22 11:13:46 2017/10/22 11:13:46
- 在源/漏区选择性外延生长锗化硅。源/漏结的形成。TC74HC00AF自对准硅化物的形成。双极应力刻蚀阻挡层薄膜的形成。沉积金属层前的介电层...[全文]
- 选择性锗硅外延工艺2017/10/21 13:05:09 2017/10/21 13:05:09
- 选择性锗硅工艺可以分为两种工艺流程,一种是K4S561632N-LC75在形成侧墙offsct工艺之前嵌人锗硅(SiGe伍rstprocess),另一种是在源漏扩展区和侧墙工艺形成后嵌人锗硅(S...[全文]
- sACVD沉积后的高温退火2017/10/21 12:32:23 2017/10/21 12:32:23
- 由于SACVD形成的⒊O2薄膜质量较差,所以在用于浅沟槽隔离时,在薄膜沉积完成后需要进行高温的退火以提高薄膜的密度和吸潮性。K4H511638D-UCCC目前退火主要包括:水蒸气退火+N2干法退...[全文]
- 为什么sACⅤD被再次使用2017/10/21 12:29:33 2017/10/21 12:29:33
- 对于技术节点为亚65nm、器件深宽比大于8的结构来说,人们发现用这种多步的沉积一刻蚀虽然能够改善HDP的填充能力,但是会使工艺变得非常复杂,K4D263238F-QC50沉积速度变慢,而且随着循...[全文]
- 接收器是一只硅光电半导体管2017/10/20 21:16:08 2017/10/20 21:16:08
- 在通用型光电耦合器中,接收器是一只硅光电半导体管,因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿型则不然,它由复合管构成,两个硅PN结串联成复合的发射结。NAND01GR3B2CZA6E是达林顿型光电...[全文]
- 推荐采用线性光电耦合器2017/10/20 21:09:07 2017/10/20 21:09:07
- 在设计光耦应用电路时必须正确选择线性光电耦合器的型号及参数,选取原则如下:N79E824ASG(1)光电耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~⒛0%。这是因为当CTR&l...[全文]
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