- 高压和零偏置功率是各向同性刻蚀的常用方法2017/11/5 17:04:43 2017/11/5 17:04:43
- 在绝大多数应用中,SPT刻蚀等同于siN刻蚀,可以在导体刻蚀机中采用能产t很多聚合物的氟基气体,如CHFs、CH2F2和CHJF来进行刻蚀。⒏N对氧化物的选择性必须大于5,以减少氧化物侧墙的顶部...[全文]
- 合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的2017/11/4 12:03:12 2017/11/4 12:03:12
- 为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。M01046正如所预期...[全文]
- 富含聚合物的刻蚀气体被证明都会导致锥形形状2017/11/4 11:58:58 2017/11/4 11:58:58
- 总之,刻蚀气体对通孔/沟槽形状的影响在基于先通孔双大马士革技术中进行了评估。M009T1不论是刻蚀通孔还是沟槽,富含聚合物的刻蚀气体被证明都会导致锥形形状。如果CD和深度可以被很好地控制,锥形形...[全文]
- 电介质沟槽刻蚀2017/11/4 11:53:05 2017/11/4 11:53:05
- 聚合物气体对沟槽形状的影响见图8.±0。与上一节类似,如果采用多聚合物气体CHJF∶,MST6M16JS-LF可以制造出锥形沟槽形状。采用缺少聚合物的I∶艺,并使用C・得到更为竖直...[全文]
- 通孔刻蚀工艺主要采用高偏置功率和高源功率去刻蚀通孔2017/11/4 11:41:47 2017/11/4 11:41:47
- 图8.33显示的是第二种条纹的机理:MC68HC711E20CFU3高偏詈功率造成了高能轰击,这会加速消耗光刻胶c当半导体制造来到F65nm及以下节点,通孔刻蚀中光刻胶的厚度变得越来越无足轻重了...[全文]
- 主刻蚀气体与预掺杂多晶硅的刻蚀效果2017/11/4 11:22:23 2017/11/4 11:22:23
- 多晶硅栅的形状主要依赖于主刻蚀步骤,它的改善可以与C1)U、TPEI3、LWR无关。MC68HC908QY4ACPE当氟皋气体(NF“/C「l/SF‘)对于多晶硅是否掺杂不敏感时,它们可以同传统...[全文]
- 设置参数P03072017/11/3 22:32:02 2017/11/3 22:32:02
- 设置参数P0307，确定电GLF2012T4R7M动机的额定功率。电动机的额定功率设定值的范围为0—2000kW．根据铭牌键人电动机额定功率(kW)。如果P0100=1，功率单位是hp。该参数的...[全文]
- P0100的设定值0和1应该用DIP开关来更改2017/11/3 22:30:55 2017/11/3 22:30:55
- 设置参数P0100，选择工GLF2012T470K作地区。当P0100=O时，功率单位为kW，频率的默认值为50Hz;当P0100=1时，功率单位为hp，频率的默认值为60Hz;当P0100=2...[全文]
- 多晶硅栅刻蚀2017/11/2 20:28:20 2017/11/2 20:28:20
- 当CM()S工艺持续缩小尺寸到65nm及以下工艺节点,栅的制造"71:变得更具挑战性。M74HC563B1R在尺寸缩小的过程中,出现了能够为90nm尺寸光刻的氟化氩(ArF)193nm光刻技术。...[全文]
- 双气区和SiC涂层表面为特征的介质刻蚀机2017/11/2 20:18:53 2017/11/2 20:18:53
- 在2009年,应用材料公司(AMAT)发布了用于32nm及其以下工艺节点的AdvantEdgcMesa硅刻蚀机。Mesa利用了应用材料公司多代成熟的产品技术和丰富的经验,W27E257-12突破...[全文]
- 模拟器中包含有复杂的等离子反应2017/11/2 19:53:05 2017/11/2 19:53:05
- 休斯敦大学的1'ymberopoulos和Economou(1995・年)为ICP反应器开发r2D模块化等离子反应器模拟器(MPREs)。V23072-C1062-A302模拟器中...[全文]
- 基本原理模拟2017/11/1 20:01:42 2017/11/1 20:01:42
- 所需要的千法刻蚀机模拟器应该强调基础等离子现象,并可以扩展应用到各种反应器形状、OARS-1-.003-5-001A复杂的反应类型和不同的激励方式,比如RIE、CCP和1CP。从基本的物理学研究...[全文]
- 三种二重图形技术的优点和缺点对比2017/11/1 19:37:08 2017/11/1 19:37:08
- 图7.106和图7.107分别显示了另外两种二重图形技术:胶凝固技术和侧墙层技术各有利弊。O4FMNBMTTNATFT它们的优缺点如表7,7所示。而且,对于胶凝同技术,次显影之后,底部抗...[全文]
- 这里讲到的方法是根据已知的掩膜版图形和光刻参数2017/10/30 21:58:35 2017/10/30 21:58:35
- 白动的方式巾基于模型的方式会根据空问像的需要白动地在某些孤立的图形边上增加亚衍射散射条。W19B320SBT9G这种做法町以根据一系列验证过的规则(如以上提到的例子),或者纯粹根据仿真的做法。当...[全文]
- 亚衍射散射条的工艺仿真效果2017/10/30 21:55:32 2017/10/30 21:55:32
- 图7.97是一组仿真的结果,显示了加上亚衍射散射条后,对焦深度显著提高了(大约从60nm到100nm),但是曝光能量宽裕度也减小了(2OOnm空问周期以上的大约从20%下降到16%)。而且孤立线...[全文]
- 散光2017/10/30 21:21:15 2017/10/30 21:21:15
- 散光(astigmatism),又叫做像散。它也是一种非对称像差。最低阶的是Zl(XY方向)、Z6(45°角度方向)。U6206B主要表现形式是镜头对X方向的图形和对Y方向的图形具有不同的焦距。...[全文]
- 光瞳位置看照明光的投影2017/10/29 13:50:16 2017/10/29 13:50:16
- 如果我们在光瞳位置看照明光的投影,如图7.63(a)、图7.63(b)、图7.63(c)所示,可以看到,V6340RT092对于σ=1非相干光照明,照明光充满了整个光瞳。对于相干光σ=0,照明光...[全文]
- 照明相干度在光刻机上的实现方式2017/10/29 13:47:27 2017/10/29 13:47:27
- 要取得在相当宽广范围内的对比度,必须放弃一点极限分辨率。而且,为了获取高于NAn的频率,V6300ASP5B必须放弃一些小于NAn的空间频率。对于相干度,一般有如下的...[全文]
- 使用斜人射的照明方式仍然可以收到两束衍射光2017/10/29 13:44:09 2017/10/29 13:44:09
- 在以上的例子中,所成的像虽然说不能够全部反应掩膜版的空间信息,但是可以看到,V62C518256CLL-70对比度还是很高的。对比度定义为在上面的例子里,经过简单计算,可以得出空间像的对比度为1...[全文]
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