- 故障的查找2016/12/4 16:12:50 2016/12/4 16:12:50
- 故障的查找。对照中L7808CD2T频电源的电路原理图和印制板布线图,分析中频电源工作原理并在维修思路中形成可疑的故障点后,即应在印制板上找到其相应的位置,运用万用表、示波器进行在路或不在路测试...[全文]
- 直流工作电压测量法2016/12/2 20:04:26 2016/12/2 20:04:26
- 这是一种在通电情况下,用万用表直流电F挡对直流供电电压、外围元器件的工作电压进行测量,H1187NL检测IC各引脚对地直流电压值并与正常值相比较,进而压缩故障范围,找出损坏的元器件的方法:测量时...[全文]
- 测量二极管2016/11/28 21:53:12 2016/11/28 21:53:12
- 测量二极管。用数字ADR5043BRTZ-REEL7式万用表可以测量发光二极管、整流二极管。测量时,转换开关拨至标有二极管符号的位置。红表笔插入Ⅴ/Ω孔,接二极管正极;黑表笔插人C0M孔,接二极...[全文]
- PM的结构2016/11/25 21:21:21 2016/11/25 21:21:21
- IPM是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、PA9516APW高开关频率和低驱动功率的优点。而且I...[全文]
- 光耦产品电参数2016/11/22 19:42:40 2016/11/22 19:42:40
- 光电耦合器的电参数可分为发光器参数、受光器H5PS1G83JFR-Y5C参数、耦合参数和总体参数等几类。1)发光器参数发光器参数如下:(l)光敏二极管正...[全文]
- 变压器2016/11/21 21:25:26 2016/11/21 21:25:26
- 两个电感线圈相互靠近,会产生互感现象。因此从原理上来说,各种变压器都属于电感。AFD51-18-30PZ-6116变压器在电子产品中能够起到交流电压变换、电流变换、传递功率和阻抗变换的作用,是不...[全文]
- 半导体照明是用第三代半导体材料制作的光源2016/11/18 21:17:37 2016/11/18 21:17:37
- 以发光二极管(LightEmittingDiodc,LED)为核心的新一代半导体照明(Scmiconduct∝~ughtillg,也称为So旧StatcjghJng,SSL,即固态照明)是对传统...[全文]
- 伏安特性表现出电阻的特性2016/11/13 19:03:39 2016/11/13 19:03:39
- 静电击穿对LED中GaN材料的影响主要是通过对GaN材料中分布的线位错的电学特性的改变体现出来。K4D261638F-TC50由于GaN材料异质生长在蓝宝石衬底上,材料内的线位错密度很高。...[全文]
- LED的静电损伤机理2016/11/13 18:56:42 2016/11/13 18:56:42
- 由于G瘀基发光二极管成功地实现商业化生产,G岔N基发光二极管在各个领域得到了广泛的应用。K4D261638F-LC40相对先前广泛使用的发光二极管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaIn...[全文]
- 根据对外延片合格产品的要求,需要进行以下测试分析2016/11/5 19:12:23 2016/11/5 19:12:23
- 根据对外延片合格产品的要求,JANTX2N2907A需要进行以下测试分析:①表面反射率分析(PR:PhotoRcⅡcctivity),测试外延片表面的粗糙度;②光致发...[全文]
- 单晶硅衬底2016/11/5 19:05:46 2016/11/5 19:05:46
- 单晶硅是目前应用最广的半导体材料。以单晶硅作为G焖基外延片衬底材料引起人们最广泛的关注和研究,主要是其有望能将GaNT基器件与Si器件集成。JANTX1N751A-1同时与蓝宝石衬底相比,硅衬底...[全文]
- 液相外延(LPE)2016/11/4 21:33:32 2016/11/4 21:33:32
- 液相外延是在固体衬底表面从过冷饱和溶液中析出囤相物质生长半导体单晶薄膜的方法。H9TP32A8JDBCPR-KGM最早由Nclson在1963年发明并用于GaAs单晶薄膜的外延生长。液相外延生长...[全文]
- 气相外延是目前硅外延生长的主要方法2016/11/4 20:51:02 2016/11/4 20:51:02
- 当一定流速的流体(载气)经过圃体(衬底)表面时,由于气流与衬底的摩擦力导致在固体表面出现一个流体速度受到干扰而变化的薄层,称为边界层或滞流层。H9LA1GG25HAMBR-46M边界层的厚度与流...[全文]
- 态密度变成与能量无关的常量2016/11/1 20:35:12 2016/11/1 20:35:12
- 在量子阱中,电子和空穴的能量状态从体材料的抛物线形变成了阶梯形分布,如图3-34(b)所示,态密度变M25P16-VMN6TP成与能量无关的常量。实际的量子阱中由于载流子之间碰撞造成分立能级稍微...[全文]
- 异质结用于发光器件是个巨大的进步2016/11/1 20:21:34 2016/11/1 20:21:34
- 同质结中载流子复合发射光子的能量等于此半导体材料的禁带宽度,所以复M25P16-VMN6TP合产生的光子经过p和n型区很大程度又被吸收。而双异质结构中N和P型势垒层禁带宽度大于发光层发射光子的能...[全文]
- 非平衡载流子通过半导体中的缺陷能级2016/10/31 20:33:33 2016/10/31 20:33:33
- 上式表明在大注入情况下,非平衡载流子寿命随非平衡载流子浓度而改变。AD9514BCPZ深能级缺陷辅助的复合又称为田m(shockl叩-Rcad-Hall)复合,它是非平衡载流子通过半导体中的缺陷...[全文]
- 无外加偏压情况的pn结能带2016/10/31 20:21:36 2016/10/31 20:21:36
- pn结的特性主要源于p和n两种导电类型的半导体结合后形成了空间电荷区,其载流AD9230BCPZ-250子输运性质和单一导电类型的半导体材料不同,以下的讨论主要是pll结的电流电压特性。...[全文]
- CⅡ XYZ系统 2016/10/29 19:59:28 2016/10/29 19:59:28
- 由图2.5中看出,由(R)、(G)、(B)三原色匹配等能光谱色,有的三刺激值为负值。这不易于理解和计算,因此CIE同时又推荐了1931CIEXYZ色度学系统。AAT3218IGV...[全文]
- 影响0LED发光效率的主要因素有2016/10/22 21:01:07 2016/10/22 21:01:07
- 影响0LED发光效率的主要因素有:(1)注人效率和均衡程度:电极/有机层间的势垒高度决定了载流子注人的效率,并DAC8408FPZ且正负载流子只有相遇才能形成激子并发光,因而两个电...[全文]
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