- 碳膜电阻器2017/12/1 22:07:15 2017/12/1 22:07:15
- 碳膜电阻器是应用最早的一种膜式电阻器。它是由碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解,SDNT1005X473H4100FTF在陶瓷骨架表面上沉积成炭结晶导电膜制成的。该电阻器的特点是阻值稳定性好、噪...[全文]
- 分支定界算法在集束型装备调度中的应用 2017/11/30 21:35:40 2017/11/30 21:35:40
- 下面介绍本章参考文献[27]分支定界算法的案例,并且论述如何运用运筹学方法优化集束型装备的晶圆排序和机械手搬运作业排序,FBMH2012HM121-T以获取混流调度问题的最优调度方案。...[全文]
- 晶圆流模式决定了集束型装各上加工过程的复杂程度2017/11/25 19:09:35 2017/11/25 19:09:35
- 晶圆流模式决定了集束型装各上加工过程的复杂程度。不同工序在集束型装备上的加工时间差距往往较大。当某工序的加工时间很长时,该工序成为“瓶颈”。TBPS0R104J455H5Q为了有效地平衡瓶颈工序...[全文]
- 导体制造业为了面对不断降低成本和提高生产力的要求,2017/11/24 21:17:29 2017/11/24 21:17:29
- 根据所形成电路层的不同,加工完成一层电路所采用的工序也有不同。以在硅A43L0616AV-7衬底上的指定区域内形成P型⒏为例,其过程首先将硅片清洗干净,在硅衬底上采用氧化工艺形成一层⒐o2薄膜,...[全文]
- 生产测试2017/11/21 21:39:29 2017/11/21 21:39:29
- 在芯片的隹产流程中,一般需要经过多道测试,如圆片测试、老化测试、封装后测试TC74VHC244F、质检测试等。}产测试(producti°ntcst)侧重好坏分类、性能分级、成本控制、质董提升,...[全文]
- Random缺陷往往和设备相关2017/11/20 19:34:55 2017/11/20 19:34:55
- Random缺陷往往和设备相关,一般对成熟I艺其D0在一个比较稳定的程度,产品之间的差异相对较小。S1T8528X01-Q0R0systematic缺陷往往发生在制程结构发生变化的...[全文]
- sEM工作原理2017/11/18 17:08:18 2017/11/18 17:08:18
- 电子枪发射电子,经过聚焦后轰击在样品表面,激发出二次电子。二次电子的信号强度随样品表面特征而变,扫描系统在控制电子束扫描样品表面的同时,控制显示器的阴极射线管电子束在荧光屏上作同步扫描。SA55...[全文]
- 接触模式2017/11/18 17:04:33 2017/11/18 17:04:33
- 1.接触模式从概念上来理解,接触模式是AFM最直接的成像模式。正如名字所描述的那样,SA25F005L在整个扫描成像过程屮,探针针尖始终与样品表面保持亲密的接触,而相互作用力是排斥...[全文]
- 测量仪器的检定2017/11/18 16:56:03 2017/11/18 16:56:03
- 测量仪器的检定,是指查明和确认测量仪器是否符合法定要求的程序,它包括检查、加SA1117BH-1.8V标记和(或)出具检定证书。检定具有法制性,其对象是法制管理范围内的测量仪器。根...[全文]
- 使用最小二乘法进行线性拟合后得到参数C与n2017/11/17 21:46:11 2017/11/17 21:46:11
- 使用最小二乘法进行线性拟合后得到参数C与n。热载流子测试的数据处理通常先要根据得到的参数C与″的值外推电性参数相对变化量Y达到这种应力条件下的某预定值yl盯(如10%的参数漂移)的相应TTFr。...[全文]
- 栅极制程对MOS电性参数的影响 2017/11/12 16:38:18 2017/11/12 16:38:18
- 栅极材料主要是使用低压化学气相层积的多晶硅栅(polygate)。其重点在于对栅极线宽(gatelength)和氧化层接口浓度(p。lydepletion)的控制。R05107ANP逻辑...[全文]
- 电容器旁路2017/11/8 12:16:30 2017/11/8 12:16:30
- 有时候，可以用一个电容器将怀疑损坏的集成电路跨接。当用电容器将集成电路跨接后信号减小，集成电路就很可能已经毁坏了。ACS712ELCTR-20A-T将怀疑有故障的集成电路卸下，用好...[全文]
- 利用感觉2017/11/8 12:15:11 2017/11/8 12:15:11
- 对集成电路进行故障检修的第一步是根据自己的感觉，查找明显的问题，如腐蚀、ACS712ELCTR-05B-T损坏或毁坏的引脚、管座或焊接。要确保集成电路完全插入到管座中。检查集成电路上制造商给定的...[全文]
- 最大耗散功率PSM2017/11/8 12:06:27 2017/11/8 12:06:27
- 它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，是反映场效应晶体管的放大能力的重要参数。最大耗散功率PSMA4988SETTR-T是指场效应管性能不变坏时所允...[全文]
- 批浸泡式清洗机2017/11/7 22:06:27 2017/11/7 22:06:27
- 批浸泡式清洗机(wetbench)是最早使用并被广泛普及的,同时它也随着半导体的发展得到不断的提升和完善。有代表性的厂商是DNS/FC系列,SES/BW系列等。W1N5817清洗机处理槽分布实例...[全文]
- 单片旋转喷淋清洗机2017/11/7 22:02:33 2017/11/7 22:02:33
- 单片旋转喷淋清洗机(singlespraytool)有代表性的厂商是I'AM公司的型号DV系列、AMAT公司的SEMIT()OI'、DNΨ型号SU系列等,如图9.⒛所示。它们配置2~12个独立的...[全文]
- 制程沉积膜前/后清洗2017/11/6 21:10:53 2017/11/6 21:10:53
- 这里讲的沉积膜,是指炉管和化学气相沉积(CVD)方法根据制程要求所生长的膜。S912XDP512F0VAG在膜沉积前后,需要对晶片表面进行清洗,以避免污染在制程间传递和恶化,特别是制程推进到65...[全文]
- 两种条纹对R和VBD的影响是完全互不相关的2017/11/4 11:51:18 2017/11/4 11:51:18
- 电迁移试验口T以用来进一步了解第一种条纹和第二种条纹的影响。由初步MMBFU310LT1试验推算出寿命计算中的″=1,15,Ed=0.85cV。图8,37表示第一种条纹在电迁移寿命试验中起到关键...[全文]
- 主刻蚀参数对第二种条纹的影响2017/11/4 11:43:55 2017/11/4 11:43:55
- 要避免第二种条纹,需要更多的聚合物在主刻蚀过程屮沉积在光刻胶上,以防止光刻胶快速地消耗。MMBF4391LT1在主刻蚀步骤中,工艺参数的实验设计结果总结在图8,扭中,包括有C4F:02气体的比率...[全文]
- 千法刻蚀工艺经验模型的主流侧重于采用有限的实验数据或者日常生产数据验证2017/11/2 20:03:30 2017/11/2 20:03:30
- 千法刻蚀工艺经验模型的主流侧重于采用有限的实验数据或者日常生产数据验证。后VP101X12BQC-4者由于缺少能够确保验证模型可靠性的“活性”,因而不是第一选择。此外,黑箱建模困难,这需要能够仅...[全文]
热门点击
- C2C模式的优势
- sEM工作原理
- C2C模式的概念
- 网上赠与模式
- sACVD填充对沟槽轮廓的要求
- 开放式标准化的计算机网络具有统一的网络体
- 用三端式稳压器7809构成的单电源电压输
- 电子商务的概念模型
- 助焊剂在焊接中的作用如下
- 我国的GPS系统――“北斗一号”卫星定位
IC型号推荐
- CTP22P120ZN
- CTP2301
- CTP2303
- CTP-35009-1
- CT-P50AT81L-CF
- CT-P50AX01-LB
- CT-P50AX01-LB-CD
- CT-P51AX01-LA
- CT-P51AX01-LA-AB
- CT-P51AX01-LA-AD
- CT-P51AX01-LA-AD-L
- CT-P51AX01-LA-LB
- CTP56393LC
- CT-P57DI22-PJ-AD-L
- CT-P57DR02-PJ-AC
- CT-P73DB01-PJ-AB
- CT-P74DR01-PJ-AA
- CT-P74DR01-PJ-AB
- CT-P74DR01-PJ-AC
- CT-P74R01-PJ-AO
- CT-P750R01-PJ-AA
- CTP75D01PJ
- CT-P75DR01-PJ
- CT-P75DR01-PJ-AA
- CT-P76DK01-PJ-AC
- CT-P76DR01-PJ-AA
- CT-P76DR01-PJ-AB
- CT-P76DR01-PJ-AC
- CT-P77DS01-PJ-AB
- CT-P77DS01-PJ-AC
公网安备44030402000607
