- 环境温度对器件参数的影晌2016/7/1 22:34:04 2016/7/1 22:34:04
- 超大规模集成电路主要的失效机理和MOs器件的参数值都与环境温度有关,CAP003DG环境温度的变化范围越宽,对器件可靠性的影响就越大。对于需要工作在恶劣环境条件下的超大规模集成电路,设计时参数变...[全文]
- 环境温度对器件参数的影Ⅱ向综述 2016/7/1 22:29:57 2016/7/1 22:29:57
- 器件的可靠性是指在规定的条件下,器件完成规定功能的能力,通常用寿命表示。CAP009DG超大规模集成电路的可靠性除了机械与环境的因素外,影响最大的因素就是电应力和热应力。电子产品最...[全文]
- 金属化可靠性测试结构设计2016/6/30 21:30:23 2016/6/30 21:30:23
- 金属化可靠性测试结构设计金属化是微电子集成电路中用于进行电连接的薄膜金属导体。在加速应力条件下,M0280SC200金属化完整性的测试结构是一个四端结构,该四端结构是一条宽度均匀的...[全文]
- 金属化电迁移的影响因素2016/6/30 21:28:38 2016/6/30 21:28:38
- 铝膜的电迁移是影响集成电路薄膜互连可靠性的主要失效机理,由于设计规则的限制和电流密度的增大,M0280RJ250要获得高可靠性的金属化就必须考虑电迁移引起的失效。电迁移现象是运动中的电子与金属原...[全文]
- 多顶目晶圆的流片方式2016/6/28 21:36:26 2016/6/28 21:36:26
- MPW是将多种具有相同工艺的集成电路设计项目放在同一晶圆片上流片,ADE7753ARSZ而费用由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊。对处于设计开发阶段的试验、测试用芯片来讲,其成本仅为非MPW...[全文]
- 版图设计概述及软件工冥介绍 2016/6/28 21:30:06 2016/6/28 21:30:06
- 成电路的设计过程中,版图设计是继性能指标确定、模型分析、逻辑综合、AD621ARZ具体线路设计和电路整体仿真等步骤之后的最后一步,同时也是最关键的一步。它决定了前期阶段的既定设计功能能否最终实现...[全文]
- 几何图形之闾的距离定义 2016/6/28 21:13:14 2016/6/28 21:13:14
- 宽度:封闭几何图形的内边之间的距离,由工艺(光刻)极限尺寸确定,如图8.2所示。长度:在同一个几何图形中的较长方向,从一边到另一边的距离,如图8.3所示。间距:各几何...[全文]
- 不同厂家相同工艺的失效机理的可靠性2016/6/27 22:33:58 2016/6/27 22:33:58
- 不同厂家相同工艺的失效机理的可靠性。对A公司和B公司的0.18umCMOs工艺HCI效应寿命进行了测量,BP3319MB流片情况同上,栅氧厚度均是3.2nm,器件的宽长比均是50△,测量结果如表...[全文]
- 影响Foundry线质量与可靠性的技术要素 2016/6/27 22:26:21 2016/6/27 22:26:21
- 超大规模集成电路的生产过程中存在着多种失效机理,这些失效机理分别是金属化电迁移、BP3309热载流子注入效应、与时间有关的栅介质击穿、PMOSFET负偏置温度不稳定性、等离子刻蚀损伤、MOS管的...[全文]
- 失效类型确定2016/6/27 22:21:57 2016/6/27 22:21:57
- 完成测试后,调用初始电流测量程序,判断在BP3125初始电流应力条件下,电容上的电压值是否超出了使用条件下的电压值,以确定失效类型。表7.7列出了CMOs栅氧电容的击穿电压与击穿电荷测量值。...[全文]
- 步进时间计算2016/6/27 22:17:12 2016/6/27 22:17:12
- 斜坡电流应力测试是在氧化层上加上步进的电流应力,同时连续(或者隔某一短时间间隙)测量氧化层上的电压值,电流以对数间隔形式步进,BP3108两个连续步进的比率则为一常数因子尸。10步进位的过程可以...[全文]
- 基于斜坡电压的栅氧可靠性评价2016/6/27 21:59:32 2016/6/27 21:59:32
- 在器件生产过程中,薄栅氧化层上的高电场是影响器件成品率和可靠性的主要因素。BP1601当有足够的电荷注入氧化层时,会发生氧化层介质的击穿,这种击穿可以在介质层上施加电流或施加一个高电场来获得。由...[全文]
- 薄栅器件热载流子效应引起器件退化的主要因素2016/6/27 21:56:57 2016/6/27 21:56:57
- 薄栅器件热载流子效应引起器件BP1360退化的主要因素有3个:(1)氧化层中的电荷注入与俘获;(2)电子和俘获空穴复合引起的界面态;(3)高能粒子打断SiH键引起的界面态。在圆片...[全文]
- 对模拟集成电路2016/6/26 20:22:37 2016/6/26 20:22:37
- 对模拟集成电路,IXGA16N60C2由于工艺要求较高,一般认为集成100个以下元器件为小规模集成电路,集成100~500个元器件为中规模集成电路,集成50O个以上的元器件为大规模集成电路;对数...[全文]
- 半导体集成电路的发展经历了漫长的过程2016/6/26 20:18:30 2016/6/26 20:18:30
- 所谓集成电路,就是在一块极小的硅单晶片上,利用半导体工艺制作许多晶体二极管、三极管及电阻、IXFZ18N65电容等元器件,并通过内部的互连以完成特定功能的电子电路。从外观上看,它已成为一个不可分...[全文]
- 恒温测试需尽量保持有效的恒定应力温度2016/6/26 20:16:51 2016/6/26 20:16:51
- 比较两个来自不同布线层的相同测试结构时,也许需要考虑焦耳热效应的影响,IXFZ12N90因为从测试结构的电流端到压焊块的电阻会导致测试线上焦耳热的产生。只要运用的算法清楚,就可以用做恒温测试的变...[全文]
- 自加热恒温电迁移试验要求2016/6/26 20:10:18 2016/6/26 20:10:18
- 恒温电迁移的反馈控制时间应不少于50ms,设定这个最小时间可保证控制循环的运行,IXFN16N100但又不会快于测试结构的热响应时间。当采集或取样时间小于50ms以表征测试结构的瞬态响应时间时,...[全文]
- 圆片级可靠性测试是一种统计工艺控制方法2016/6/26 19:57:10 2016/6/26 19:57:10
- 圆片级可靠性测试是一种统计工艺控制方法,这种测试需要在特别设计的结构上进行,IXFM24N50通过测试一批数据反映出工艺线的受控状况,用于在圆片制造的早期阶段检测和消除可靠性问题。相对于传统的封...[全文]
- 一般交流应力条件下的电迁移2016/6/26 19:53:50 2016/6/26 19:53:50
- 对已存在电迁移损伤空洞的金属线,用如下的试验方式验证了纯交流应力对金属条电迁移可靠性的影响。先用直流信号作用于金属线样品,IXFM20N60从而有意识地引入一些空洞,然后监测金属线电阻的变化。在...[全文]
公网安备44030402000607
