摘 要： 本论文综述了自；十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。同时，叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。
关键词： 微电子封装；BGA；CSP；WLP；3D封装；SIP；三级封装

1 前言

集成电路产业已成为国民经济发展的关键，而集成电路设计、制造和封装测试是集成电路产业发展的三大产业之柱。这已是各级领导和业界的共识。微电子封装不但直接影响着集成电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能，影响其可靠性和成本，还在很大程度上决定着电子整机系统的小型化、多功能化、可靠性和成本，微电子封装越来越受到人们的普遍重视，在国际和国内正处于蓬勃发展阶段。本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。介绍它们的发展状况和技术特点。同时，叙述了微电子三级封装的概念。并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思索和建议。

2 微电子三级封装

谈到微电子封装，首先我们要叙述一下三级封装的概念。一般说来，微电子封装分为三级，如图1所示。所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后，将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来，并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动键合(TAB)和倒装芯片键合(FCB)连接起来，使之成为有实用功能的电子元器件或组件。一级封装包括单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)两大类。应该说，一级封装包含了从圆片裂片到电路测试的整个工艺过程，即我们常说的后道封装，还要包含单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的设计和制作，以及各种封装材料如引线键合丝、引线框架、装片胶和环氧模塑料等内容。这一级也称芯片级封装。二级封装就是将一级微电子封装产品连同无源元件一同安装到印制板或其它基板上，成为部件或整机。这一级所采用的安装技术包括通孔安装技术(THT)、表面安装技术(SMT)和芯片直接安装技术(DCA)。二级封装还应该包括双层、多层印制板、柔性电路板和各种基板的材料、设计和制作技术。这一级也称板级封装。三级封装就是将二级封装的产品通过选层、互连插座或柔性电路板与母板连结起来，形成三维立体封装，构成完整的整机系统，这一级封装应包括连接器、迭层组装和柔性电路板等相关材料、设计和组装技术。这一级也称系统级封装。所谓微电子封装是个整体的概念，包括了从一极封装到三极封装的全部技术内容。在国际上，微电子封装是一个很广泛的概念，包含组装和封装的多项内容。微电子封装所包含的范围应包括单芯片封装(SCP)设计和制造、多芯片封装(MCM)设计和制造、芯片后封装工艺、各种封装基板设计和制造、芯片互连与组装、封装总体电性能、机械性能、热性能和可靠性设计、封装材料、封装工模夹具以及绿色封装等多项内容。有人说，微电子封装就是封装外壳；又有人说微电子封装不过是无源元件，不可能是有源；还有人说，微电子封装不过是个包封体，可有可无，等等。这些看法都是片面的，不正确的。我们应该把现有的认识纳入国际微电子封装的轨道，这样既有利于我国微电子封装界与国外的技术交流，也有利于我国微电子封装自身的发展。

3 新型微电子封装技术

回顾集成电路封装的历史，其发展主要划分为三个阶段。第一阶段，在二十世纪七十年代之前，以插装型封装为主。包括最初的金属圆形(TO型)封装，后来的陶瓷双列直插封装(CDIP)、陶瓷-玻璃双列直插封装(CerDIP)和塑料双列直插封装(PDIP)。尤其是PDIP，由于性能优良、成本低廉又能批量生产而成为主流产品。第二阶段，在二十世纪八十年代以后，以表面安装类型的四边引线封装为主。当时，表面安装技术被称作电子封装领域的一场革命，得到迅猛发展。与之相适应，一批适应表面安装技术的封装形式，如塑料有引线片式裁体(PLCC)、塑料四边引线扁平封装(PQFP)、塑料小外形封装(PSOP)以及无引线四边扁平封装等封装形式应运而生，迅速发展。由于密度高、引线节距小、成本低并适于表面安装，使PQFP成为这一时期的主导产品。第三阶段，在二十世纪九十年代以后，以面阵列封装形式为主。二十世纪九十年代初，集成电路发展到了超大规模阶段，要求集成电路封装向更高密度和更高速度发展，因此集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，发明了焊球阵列封装(BGA)，并很快成为主流产品。后来又开发出了各种封装体积更小的CSP。也就是在同一时期，多芯片组件(MCM)蓬勃发展起来，也被称为电子封装的一场革命。因基板材料的不同分为多层陶瓷基板MCM(MCM-C)。薄膜多层基板MCM(MCM-D)，塑料多层印制板MCM(MCM-L)和厚薄膜基板MCM(MCM-C／D)。与此同时，由于电路密度和功