“张力硅晶”的观念已经有30年历史，但最近才逐渐成为芯片设计师的重心。这种制造技术未来可望让处理器效能提高20%，英特尔与IBM会在03年之后陆续将该技术导入芯片制程中，并采用90纳米制程。
    该技术强调晶体管硅原子之间的距离，也就是芯片基础的微小开关（on/off switch）。稍微将这些原子间的距离拉开之后，可以降低原子力对晶体管间电子运动的干扰，进一步得到更高的效能并降低芯片的耗电量。
   在张力硅芯片里，藉由在硅栅间加入锗原子以将原子距离拉长。另一种芯片制造技术则是在晶体管床（transistor bed）上加上硅锗层（silicon-germanium）。这两种技术虽然不同但观念大同小异，而且可以用在同样的芯片上。