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为使电路正常工作所加入的各元件

发布时间:2012/5/24 19:19:57 访问次数:552

    C3、C4是OP放大器的电LM3S615-IQN50-C2去耦电容器。这里采用C3一C4一lOtlF/25V的电解电容器。
    C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放大电路,为了木发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用C5=C6一0.luF的叠层陶瓷电容器。
    R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高,所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分,会发生振荡(关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍)。
    在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7=R8 =100-Q,。
    C7的作用是对Tr.交流旁路,使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr2一侧和Tr3一侧基本相等。其结果,在高频范围能够使Tr2和Tr3正确地互补工作,改善失真率。
    C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大,所以取C7=0.lpLF的薄层电容器。
    C3、C4是OP放大器的电LM3S615-IQN50-C2去耦电容器。这里采用C3一C4一lOtlF/25V的电解电容器。
    C5和C6是防止三端稳压电源发生振荡所接入的电容。三端稳压电源也可以认为是与OP放大器相同的负反馈放大电路,为了木发生振荡同样也需要有电源去耦电容器。这里使用C5=C6一0.luF的叠层陶瓷电容器。
    R7和R8是防止MOSFET发生振荡的重要电阻。由于MOSFET的栅极输入阻抗非常高,所以给栅极串联一个小的电阻不会产生不利影响。但是在高频范围MOSFET的输入阻抗将降低。而且在某一频率范围往往会成为负阻——其大小是负值的电阻成分,会发生振荡(关于负阻与振荡的关系将在第14章介绍)。
    在FET的栅极插入电阻的作用就是抵消负阻成分防止振荡的发生。这个电阻通常取数十至数百欧。在这里取值为R7=R8 =100-Q,。
    C7的作用是对Tr.交流旁路,使得从Tr2、Tr3的栅极看进去的阻抗相等。这样能够使MOSFET的输入电容与前级输出阻抗形成的低通滤波器的截止频率在Tr2一侧和Tr3一侧基本相等。其结果,在高频范围能够使Tr2和Tr3正确地互补工作,改善失真率。
    C7的值愈大愈好。不过过于大的话电容器的体积也会增大,所以取C7=0.lpLF的薄层电容器。
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