无源RFID芯片MCRF250及其防冲突读写器设计
发布时间:2007/8/23 0:00:00 访问次数:635
作者:单承赣
摘要:介绍Microchip公司生产的无源RFID芯片MCRF250的主要特点及其工作原理,详细讨论了MCRF250防冲突问题。并在此基础上给出了一种FSK防冲突读写器的设计方法。
关键词:RFID;MCRF250;FSK;防冲突;读写器
1 MCRF250简介
MCRF250是MICROCHIP公司生产的非接触可编程无源RFID器件,工作频率(载波)为125KHZ。该器件有两种工作模式:初始模式(NATIVE)和读模式。所谓初始模式是指MCRF250具有一个未被编程的存储阵列,而且能够在非接触编程时提供一个缺损状态(其波特率为载波频率的128分频,调制方式为FSK,数据码为NRZ码);而读模式是指在接触和非接触方式编程后的永久工作模式,在该模式下, MCRF250芯片中的配置寄存器(详见后述)的锁存位CB12置1,芯片上电后,进入防冲突数据传送状态。
MCRF250的主要性能如下:
●只读数据传送,片内带有一次性可编程(OTP)的96位或128位用户存储器(支持48位或64位协议)。
●具有片上整流和稳压电路。
●低功耗。
●编码方式:NRZ,曼彻斯特码及差分曼彻斯特码。
●调制方式:FSK,PSK,直接调制。
●封装方式:PDIP,SOIC。
2 工作原理
2.1 芯片内部电路组成
MCRF250芯片内部电路框图及与读写器构成的应用系统如图1所示。芯片的引脚VA和VB外接电感L1和电容C1构成的谐振电路(谐振频率为125KHZ, L1参考值为4.05MH,C1参考值为390PF)。读写器(READER)侧的电路谐振于125KHZ以用于输出射频能量,同时也用于接收MCRF250芯片以负载调制方式传来的数字信号。MCRF250芯片内部电路由射频前端、防冲突电路及存储器三部分组成。
2.2 射频前端电路
射频前端电路用于完成芯片所有的模拟信号处理和变换功能,包括电源(工作电压VDD和编程电压VPP)、时钟、载波中断检测、上电复位、负载调制等电路。此外,它还用来实现编码调制方式的逻辑控制。
2.3 配置寄存器
配置寄存器用于确定芯片的工作参数。配置寄存器也能以非接触方式编程,它由制造商在生产中进行编程。配置寄存器共有12位,其功能如图2所示。其中位11(CB11)总是为1。位10(CB10)用于设置PSK速率,置1时速率为FC/4,置0时速率为FC/2。当CB12为0时,表示存储阵列未被锁定;为1时表示成功地完成了接触编程或非接触编程,此时芯片工作于防冲突只读模式下。
2.4 防冲突电路
片内有防冲突电路,当发生冲突时,MCRF250可停止数据发送,并在防冲突电路的控制下,可再一次在适当的时候传送数据。这种功能保证了当读写器射频场中有多个RFID卡时,可以逐一读取。该防冲突措施要求读写器能提供载波信号中断的时隙(GAP)能力。
3 FSK防冲突读写器的电路设计
3.1 防冲突技术
ISO/IEC14444-3标准给出了TYPE A和TYPE B两种初始化和防冲突规范1:TYPE A 采用面向比特的防冲突帧,支持比特冲突检测协议;TYPE B 通过一组命令来管理防冲突过程,防冲突方案以时隙为基础。
存储卡的防冲突技术目前尚未形成统一的标准,很多厂家都拥有自己的专利。对于MCRF250芯片的读写器设计来说,其主要特点是具有防冲突能力,即读写器应具有提供GAP和冲突检测的能力。因为读写器提供GAP可保证时间上的同步,冲突检测可采用比特(位)冲突检测方法。
位冲突检测可以采用幅度变化、非法编码出现、位宽变化等检测技术。但在RFID中,很难确定判断幅度迭加的门限值(阈值),因此,非法编码判断和位宽检测是比较简便的方法。
非法编码判断和编码方式的相关资料可参见参考文献。下面主要介绍NRZ码和曼彻斯特码在发生冲突时合成波形的变化情况。从图3中可见,NRZ 码无法判断位0和位1的冲突,因为冲突后的结果可认为正常的数位1。而曼彻斯特编码的数位1,如果以速率高一倍的NRZ码10来表示,其数位0则可表示为01,其数位1和数位0冲突的结果则可表示为11,而曼彻斯特码中,11是非法编码,故而极易判断位冲突出现。TYPE A中就是采用了曼彻斯特编码。当然,图3所示情况是基于位时间同步和放大限幅的环境,在RFID中,
作者:单承赣
摘要:介绍Microchip公司生产的无源RFID芯片MCRF250的主要特点及其工作原理,详细讨论了MCRF250防冲突问题。并在此基础上给出了一种FSK防冲突读写器的设计方法。
关键词:RFID;MCRF250;FSK;防冲突;读写器
1 MCRF250简介
MCRF250是MICROCHIP公司生产的非接触可编程无源RFID器件,工作频率(载波)为125KHZ。该器件有两种工作模式:初始模式(NATIVE)和读模式。所谓初始模式是指MCRF250具有一个未被编程的存储阵列,而且能够在非接触编程时提供一个缺损状态(其波特率为载波频率的128分频,调制方式为FSK,数据码为NRZ码);而读模式是指在接触和非接触方式编程后的永久工作模式,在该模式下, MCRF250芯片中的配置寄存器(详见后述)的锁存位CB12置1,芯片上电后,进入防冲突数据传送状态。
MCRF250的主要性能如下:
●只读数据传送,片内带有一次性可编程(OTP)的96位或128位用户存储器(支持48位或64位协议)。
●具有片上整流和稳压电路。
●低功耗。
●编码方式:NRZ,曼彻斯特码及差分曼彻斯特码。
●调制方式:FSK,PSK,直接调制。
●封装方式:PDIP,SOIC。
2 工作原理
2.1 芯片内部电路组成
MCRF250芯片内部电路框图及与读写器构成的应用系统如图1所示。芯片的引脚VA和VB外接电感L1和电容C1构成的谐振电路(谐振频率为125KHZ, L1参考值为4.05MH,C1参考值为390PF)。读写器(READER)侧的电路谐振于125KHZ以用于输出射频能量,同时也用于接收MCRF250芯片以负载调制方式传来的数字信号。MCRF250芯片内部电路由射频前端、防冲突电路及存储器三部分组成。
2.2 射频前端电路
射频前端电路用于完成芯片所有的模拟信号处理和变换功能,包括电源(工作电压VDD和编程电压VPP)、时钟、载波中断检测、上电复位、负载调制等电路。此外,它还用来实现编码调制方式的逻辑控制。
2.3 配置寄存器
配置寄存器用于确定芯片的工作参数。配置寄存器也能以非接触方式编程,它由制造商在生产中进行编程。配置寄存器共有12位,其功能如图2所示。其中位11(CB11)总是为1。位10(CB10)用于设置PSK速率,置1时速率为FC/4,置0时速率为FC/2。当CB12为0时,表示存储阵列未被锁定;为1时表示成功地完成了接触编程或非接触编程,此时芯片工作于防冲突只读模式下。
2.4 防冲突电路
片内有防冲突电路,当发生冲突时,MCRF250可停止数据发送,并在防冲突电路的控制下,可再一次在适当的时候传送数据。这种功能保证了当读写器射频场中有多个RFID卡时,可以逐一读取。该防冲突措施要求读写器能提供载波信号中断的时隙(GAP)能力。
3 FSK防冲突读写器的电路设计
3.1 防冲突技术
ISO/IEC14444-3标准给出了TYPE A和TYPE B两种初始化和防冲突规范1:TYPE A 采用面向比特的防冲突帧,支持比特冲突检测协议;TYPE B 通过一组命令来管理防冲突过程,防冲突方案以时隙为基础。
存储卡的防冲突技术目前尚未形成统一的标准,很多厂家都拥有自己的专利。对于MCRF250芯片的读写器设计来说,其主要特点是具有防冲突能力,即读写器应具有提供GAP和冲突检测的能力。因为读写器提供GAP可保证时间上的同步,冲突检测可采用比特(位)冲突检测方法。
位冲突检测可以采用幅度变化、非法编码出现、位宽变化等检测技术。但在RFID中,很难确定判断幅度迭加的门限值(阈值),因此,非法编码判断和位宽检测是比较简便的方法。
非法编码判断和编码方式的相关资料可参见参考文献。下面主要介绍NRZ码和曼彻斯特码在发生冲突时合成波形的变化情况。从图3中可见,NRZ 码无法判断位0和位1的冲突,因为冲突后的结果可认为正常的数位1。而曼彻斯特编码的数位1,如果以速率高一倍的NRZ码10来表示,其数位0则可表示为01,其数位1和数位0冲突的结果则可表示为11,而曼彻斯特码中,11是非法编码,故而极易判断位冲突出现。TYPE A中就是采用了曼彻斯特编码。当然,图3所示情况是基于位时间同步和放大限幅的环境,在RFID中,