ADG1201/ADG1202低电容、低电荷注入iCMOS SPST电路的基本特性：

    ADG1201/ADG1202是包含1个SPST开关、基于iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单片互补金属氧化物。iCMOS是一个结合高电压CMOS和双极技术的模块化生产工艺，在没有上一代的高电压部件的占位面积上，使一个宽范围的高性能模拟IC实现33V的操作能力。与利用传统的CMOS工艺的模拟lC不一样的是，iCMOS器件能容许高电源电压而同时提供螬强的性能，明显的降低功耗，并减小封装型号。
   
1) 2.4pF的断开电容；   
2) 小于lpC的电荷注入；   
3) 低漏电，在85℃时0.6nA（最大值）；   
4) 120Ω的电阻；   
5) 全规定为±15V、12V电压；
6）无VL电源要求；
7）3V逻辑兼容输入电压；
8）轨至轨操作；
9）6引脚SOT-23封装。