ISL6594A/ISL6594B/ISL6594D间步整流降压MOSFET驱动器电路的基本特性：

1) 双MOSFET驱动器同步整流桥；

2) ISL6594A/ISL6594B可调栅极电压范围：5-12V；ISL6594D可调栅极电压为最优效率；

3) 36V内部的肖特基二极管引导程序；

4) IDL6594A/ISL6594B预防电容器过分充电的引导程序；

5) 支持较高的开关频率，高达2MHz；

6) 3A拉电流能力；

7) 快速上升、下降时间和低传播延迟；

8) 三态PWM输入，用于输出级停机。

                                                                            
9) ISL6594D优化3.3VPWM输入；

10)ISL6594D三态PWM输入滞后应用。                                    

11)ISL6594D与ISL6596引脚至引脚兼容；