HIP6601B/HIP6603B MOSFET驱动器
发布时间:2011/6/28 9:20:33 访问次数:822
HIP6601B/HIP6603B同步整流降压MOSFET驱动器电路的基本特性：
1) 两个N沟道MOSFET驱动器；
2) 适应击穿保护；
3) 内部引导程序驱动；
4) 支持较高的开关频率；
5) 快速输出上升时间；
6) 传播延迟为30ns；
7) 小型8引脚SOIC封装和EPSOIC封装；
8) 双栅极驱动电压为最优效率；
9) 三态输入用于输出级停机；
10)电源欠电压保护。
HIP6601B/HIP6603B同步整流降压MOSFET驱动器电路的基本特性：
1) 两个N沟道MOSFET驱动器；
2) 适应击穿保护；
3) 内部引导程序驱动；
4) 支持较高的开关频率；
5) 快速输出上升时间；
6) 传播延迟为30ns；
7) 小型8引脚SOIC封装和EPSOIC封装；
8) 双栅极驱动电压为最优效率；
9) 三态输入用于输出级停机；
10)电源欠电压保护。
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