用单向可控硅代替双向可控硅
发布时间:2007/8/20 0:00:00 访问次数:969
电路形式:
采用两个单向可控硅反向并联,
触发要求:
两个可控硅的脉冲相差180度,最好能设计好死角时间,
一般可控硅的触发信号要求即可,根据经验值和典型值确定
不通的触发功率,不通的抗干扰要求,对出发点路也有不同的要求,
如果触发电路的功率不够,容易造成触发不良,得到的波形不稳,对负载影响较大.
如果用在三相电机调速中间,往往反映出电机机械噪音大,有剧烈震动,不稳定,带来反馈信号杂乱等,容易造成电路自激.
触发波形要求:前沿要陡,中部要平,后沿要直,要有足够的触发功率,隔离变压器耐压值要高,否则容易造成隔离变压器损坏!甚至,损坏前级电路。
（转自 中国电子技术信息网）
电路形式:
采用两个单向可控硅反向并联,
触发要求:
两个可控硅的脉冲相差180度,最好能设计好死角时间,
一般可控硅的触发信号要求即可,根据经验值和典型值确定
不通的触发功率,不通的抗干扰要求,对出发点路也有不同的要求,
如果触发电路的功率不够,容易造成触发不良,得到的波形不稳,对负载影响较大.
如果用在三相电机调速中间,往往反映出电机机械噪音大,有剧烈震动,不稳定,带来反馈信号杂乱等,容易造成电路自激.
触发波形要求:前沿要陡,中部要平,后沿要直,要有足够的触发功率,隔离变压器耐压值要高,否则容易造成隔离变压器损坏!甚至,损坏前级电路。
（转自 中国电子技术信息网）
相关技术资料- 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900
- 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景
- 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2
- 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计
- 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）
- 5-14双 LVDS （OpenLDI） LCD 视频处理器
- 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS
- 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解
- 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴
- 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块
- 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计
- 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
