东芝升级24纳米闪存技术 或为iPhone 5准备
发布时间:2011/4/6 13:55:41 访问次数:447
北京时间4月6日上午消息,东芝今天对旗下24纳米工艺闪存芯片进行升级并推出了最新SmartNAND系列产品,东芝此次闪存升级可能是在为苹果下一代iPhone 5手机的发布做准备。
东芝新闪存的面世也再次验证了苹果iPhone 5将配备64GB存储空间的传闻,此前有64GB版iPhone 4曝光,并有消息指出下一代iPhone 5也将拥有64GB存储空间可选版本。
SmartNAND系列芯片容量在4-64GB,其中4GB、8GB、16GB芯片将在4月或5月进行样品生产,32GB和64GB芯片则将在6月份开始样品生产,今夏开始量产。
SmartNAND系列产品基于24纳米制程工艺,芯片最大容量可达64GB,适用于媒体播放器、平板电脑和其它设备。除了拥有更大存储容量外,新芯片的内存控制器可以进一步提升读取、写入速度。所有芯片均支持错误检查和纠正(ECC)功能,该功能可以减轻主处理器的数据纠错工作负担。
北京时间4月6日上午消息,东芝今天对旗下24纳米工艺闪存芯片进行升级并推出了最新SmartNAND系列产品,东芝此次闪存升级可能是在为苹果下一代iPhone 5手机的发布做准备。
东芝新闪存的面世也再次验证了苹果iPhone 5将配备64GB存储空间的传闻,此前有64GB版iPhone 4曝光,并有消息指出下一代iPhone 5也将拥有64GB存储空间可选版本。
SmartNAND系列芯片容量在4-64GB,其中4GB、8GB、16GB芯片将在4月或5月进行样品生产,32GB和64GB芯片则将在6月份开始样品生产,今夏开始量产。
SmartNAND系列产品基于24纳米制程工艺,芯片最大容量可达64GB,适用于媒体播放器、平板电脑和其它设备。除了拥有更大存储容量外,新芯片的内存控制器可以进一步提升读取、写入速度。所有芯片均支持错误检查和纠正(ECC)功能,该功能可以减轻主处理器的数据纠错工作负担。
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